NCEP4040Q 是 NCEPOWER 生产的一款 N 沟道超级沟槽功率 MOSFET。

• 核心参数：
  • 耐压值与电流：漏源电压VDS​为 40V，连续漏极电流ID​为 40A，脉冲漏极电流IDM​为 125A。
  • 导通电阻：当栅源电压VGS​=10V时，导通电阻RDS(ON)​典型值为 7.7mΩ，最大值为 8.8mΩ；当VGS​=4.5V时，RDS(ON)​典型值为 11mΩ，最大值为 13mΩ。
  • 电容特性：输入电容CISS​为 831pF，输出电容COSS​为 318pF，反向传输电容CRSS​为 24pF。
  • 开关特性：开启延迟时间td(on)​为 6ns，上升时间tr​为 2.8ns，关闭延迟时间td(off)​为 23ns，下降时间tf​为 3ns，总栅极电荷Qg​为 17.6nC。
• 技术特点：采用超级沟槽技术，优化了高频开关性能，将导通和开关功率损耗降至最低。具有出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM），工作温度范围为 - 55℃至 150℃，采用无铅电镀，且经过 100% 的 UIS（单脉冲雪崩能量）测试和 100% 的ΔVDS​测试。
• 封装形式：采用 DFN3.3×3.3-8L 封装。
• 应用领域：适用于 DC/DC 转换器，特别适合高频开关和同步整流应用。